Transistor de canal P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 890pF. DI (T=100°C): 7.1A. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Función: Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 45A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Td(apagado): 59 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.04V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43