transistor de canal P IRF7424TRPBF, SO8, -30V

transistor de canal P IRF7424TRPBF, SO8, -30V

Cantidad
Precio unitario
1-99
2.08€
100+
1.31€
Cantidad en inventario: 2553

Transistor de canal P IRF7424TRPBF, SO8, -30V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4030pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -11A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: F7424. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 150 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.04V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
IRF7424TRPBF
16 parámetros
Vivienda
SO8
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-30V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
4030pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
2.5W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0035 Ohms @ -11A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-11A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
F7424
Número de terminales
8:1
Retardo de desconexión tf[nseg.]
150 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-2.04V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
15 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier