Transistor de canal P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. DI (T=100°C): 7.1A. Función: circuitos de conmutación de portátiles. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 160A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: no. Resistencia en encendido Rds activado: 0.039 Ohms. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43