Transistor de canal P IRF9510PBF, TO-220, -100V, 4A, -100V, 4A, 500uA, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): -100V. Corriente máxima de drenaje: 4A. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 200pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 94pF. DI (T=100°C): 2.8A. Diodo Trr (Mín.): 82 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 43W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -4A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 16A. Marcado del fabricante: IRF9510PBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 43W. Potencia: 43W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43