Transistor de canal P IRF9520NS-IR, D²-PAK, TO-263, -100V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -6.8A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: F9520. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 28 ns. RoHS: no. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42