Transistor de canal P IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Acondicionamiento: tubus. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 390pF. Características: -. Cargar: 18nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: -4.8A. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -6.8A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 6A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF9520PBF. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Polaridad: unipolares. Potencia: 60W. Resistencia en el estado: 0.6 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.6 ns. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: P-MOSFET. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -100V. Voltaje de accionamiento: 10V. Voltaje de fuente de drenaje: -100V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38