Transistor de canal P IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 860pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 38.7nC. Corriente de drenaje: -14A. Costo): 340pF. DI (T=100°C): 8.2A. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 48A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. Polaridad: unipolares. Potencia: 79W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Resistencia térmica de alojamiento: 1.9K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -100V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43