transistor de canal P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK
Cantidad
Precio unitario
1-4
3.43€
5-9
2.29€
10-19
2.12€
20-49
2.02€
50+
1.93€
| Cantidad en inventario: 5 |
Transistor de canal P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Vivienda: D2PAK. : mejorado. Corriente de drenaje: -14A. Embalaje: bobina. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 3.8W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: P-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: -100V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 31/12/2025, 18:16
IRF9530NSTRLPBF
12 parámetros
Vivienda
D2PAK
mejorado
Corriente de drenaje
-14A
Embalaje
bobina
Montaje/instalación
SMD
Polaridad
unipolares
Potencia
3.8W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Tipo de transistor
P-MOSFET
Voltaje de fuente de drenaje
-100V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies