Transistor de canal P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Vivienda: D2PAK. : mejorado. Corriente de drenaje: -14A. Embalaje: bobina. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 3.8W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: P-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: -100V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:22