Transistor de canal P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 170pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 11nC. Corriente de drenaje: -1A, -1.75A. Costo): 50pF. DI (T=100°C): 1A. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 7A. Marcado del fabricante: IRF9610PBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Polaridad: unipolares. Potencia: 20W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en el estado: 3 Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -200V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43