Transistor de canal P IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Cantidad por caja: 1. DI (T=100°C): 1.5A. Función: Transistor MOSFET de canal P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4 Ohms. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Harris. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43