transistor de canal P IRF9953, SO8
Cantidad
Precio unitario
1-4
4.02€
5-9
2.65€
10-19
2.45€
20-49
2.33€
50+
2.22€
| Cantidad en inventario: 1 |
Transistor de canal P IRF9953, SO8. Vivienda: SO8. Cargar: 6.1nC. Corriente de drenaje: -2.3A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Resistencia térmica: 62.5K/W. RoHS: sí. Voltaje de fuente de drenaje: -30V. Voltaje de fuente de puerta: 20V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 09/09/2025, 15:10
IRF9953
11 parámetros
Vivienda
SO8
Cargar
6.1nC
Corriente de drenaje
-2.3A
Montaje/instalación
SMD
Polaridad
unipolares
Potencia
2W
Resistencia térmica
62.5K/W
RoHS
sí
Voltaje de fuente de drenaje
-30V
Voltaje de fuente de puerta
20V
Producto original del fabricante
Infineon (irf)