Transistor de canal P IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. DI (T=100°C): 8.5A. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 48A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43