Transistor de canal P IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 620pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 23.3nC. Corriente de drenaje: -19A. Costo): 280pF. DI (T=100°C): 14A. Diodo Trr (Mín.): 54ms. Función: Transistor MOSFET de canal P. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 68A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Polaridad: unipolares. Potencia: 68W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 100M Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Resistencia térmica de alojamiento: 1.73K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43