Transistor de canal P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 620pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 68W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -19A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: F9Z34NS. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27