Transistor de canal P IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 270pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. DI (T=100°C): 0.8A. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: Transistor MOSFET de canal P. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 8.8A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: FET. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43