Transistor de canal P IRFD9024PBF, DIP4, -60V. Vivienda: DIP4. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 570pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -1.6A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 1.6A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRFD9024PBF. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Polaridad: MOSFET P. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Tipo de montaje: THT. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -60V. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:06