transistor de canal P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V
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Transistor de canal P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Vivienda: DIP. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. Cantidad por caja: 1. Cargar: 18nC. Corriente de drenaje: -1A, -0.7A. DI (T=100°C): 0.6A. Función: Transistor MOSFET de canal P. Marcado del fabricante: IRFD9120PBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Polaridad: unipolares. Potencia: 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.6 Ohms. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: P-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: -100V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43