Transistor de canal P IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Vivienda: DIP4. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 390pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -1A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: IRFD9120PBF. Número de terminales: 4. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.6 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42