Transistor de canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Vivienda: DIP. DI (T=25°C): 0.56A. Idss (máx.): 0.56A. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 200V. Cantidad por caja: 1. Cargar: 15nC. Corriente de drenaje: -600mA, -0.36A. DI (T=100°C): 0.34A. Función: Transistor MOSFET de canal P. Marcado del fabricante: IRFD9220PBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Polaridad: unipolares. Potencia: 1W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: P-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: -200V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43