Transistor de canal P IRFD9220PBF, HD-1, -200V. Vivienda: HD-1. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 340pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -0.56A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: IRFD9220PBF. Número de terminales: 4. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7.3 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.8 ns. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27