Transistor de canal P IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 94pF. DI (T=100°C): 0.69A. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 8.8A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51