Transistor de canal P IRFL9110PBF, SOT-223, -100V. Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -1.1A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: FF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22