transistor de canal P IRFP9240, TO-247, 12A, 500uA, TO-247AC, 200V

transistor de canal P IRFP9240, TO-247, 12A, 500uA, TO-247AC, 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.57€
5-24
2.29€
25-49
2.06€
50-99
1.89€
100+
1.59€
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Cantidad en inventario: 46

Transistor de canal P IRFP9240, TO-247, 12A, 500uA, TO-247AC, 200V. Vivienda: TO-247. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1200pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 44nC. Corriente de drenaje: -12A, -7.5A. Costo): 370pF. DI (T=100°C): 7.5A. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 48A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Polaridad: unipolares. Potencia: 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 0.5 Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 0.57 Ohms. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) IRFP240. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -200V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFP9240
39 parámetros
Vivienda
TO-247
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
500uA
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
200V
Acondicionamiento
tubus
C(pulg)
1200pF
Cantidad por caja
1
Cargar
44nC
Corriente de drenaje
-12A, -7.5A
Costo)
370pF
DI (T=100°C)
7.5A
Diodo Trr (Mín.)
250 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
100uA
Identificación (diablillo)
48A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
150W
Polaridad
unipolares
Potencia
150W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en el estado
0.5 Ohms
Resistencia en encendido Rds activado
0.57 Ohms
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) IRFP240
Td(apagado)
39 ns
Td(encendido)
14 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Voltaje de fuente de drenaje
-200V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Vishay