transistor de canal P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

transistor de canal P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.18€
5-24
0.99€
25-49
0.85€
50+
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Cantidad en inventario: 149

Transistor de canal P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 520pF. DI (T=100°C): 22A. Diodo Trr (Mín.): 71ms. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 110A. Marcado en la caja: IRFR5305. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFR5305
31 parámetros
DI (T=25°C)
31A
Idss (máx.)
250uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
1200pF
Cantidad por caja
1
Costo)
520pF
DI (T=100°C)
22A
Diodo Trr (Mín.)
71ms
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
110A
Marcado en la caja
IRFR5305
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
110W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
Resistencia en encendido Rds activado
0.065 Ohms
RoHS
Td(apagado)
39 ns
Td(encendido)
14 ns
Tecnología
HEXFET ® Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier