Transistor de canal P IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK. Vivienda: TO252AA, DPAK. Cargar: 42nC. Corriente de drenaje: -31A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 89W. Resistencia térmica de alojamiento: 1.4K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: P-MOSFET, HEXFET. Voltaje de fuente de drenaje: -55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:15