transistor de canal P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.01€
5-24
0.83€
25-49
0.70€
50+
0.63€
Cantidad en inventario: 35

Transistor de canal P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 270pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. DI (T=100°C): 3.2A. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 20A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 9.6 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: FET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFR9014
29 parámetros
DI (T=25°C)
5.1A
Idss (máx.)
500uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
270pF
Cantidad por caja
1
Costo)
170pF
DI (T=100°C)
3.2A
Diodo Trr (Mín.)
80 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
100uA
Identificación (diablillo)
20A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
25W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
Resistencia en encendido Rds activado
0.50 Ohms
RoHS
Td(apagado)
9.6 ns
Td(encendido)
11 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
FET
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Vishay