transistor de canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

transistor de canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.05€
5-24
0.89€
25-49
0.79€
50-99
0.69€
100+
0.58€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 211

Transistor de canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 12.7nC. Corriente de drenaje: -11A. Costo): 170pF. DI (T=100°C): 8A. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 44A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Polaridad: unipolares. Potencia: 38W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. Resistencia térmica de alojamiento: 3.3K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFR9024N
37 parámetros
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
250uA
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
350pF
Cantidad por caja
1
Cargar
12.7nC
Corriente de drenaje
-11A
Costo)
170pF
DI (T=100°C)
8A
Diodo Trr (Mín.)
47 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
44A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
38W
Polaridad
unipolares
Potencia
38W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en encendido Rds activado
0.175 Ohms
Resistencia térmica de alojamiento
3.3K/W
RoHS
Td(apagado)
23 ns
Td(encendido)
13 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Voltaje de fuente de drenaje
-55V
Voltaje de fuente de puerta
20V
Producto original del fabricante
International Rectifier

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