transistor de canal P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V

transistor de canal P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V

Cantidad
Precio unitario
1-99
1.78€
100+
1.07€
+1848 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Cantidad en inventario: 750

Transistor de canal P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 38W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -11A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: FR9024N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:56

Documentación técnica (PDF)
IRFR9024NTRPBF
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-55V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
350pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
38W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.175 Ohms @ -6.6A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-11A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
FR9024N
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
23 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-4V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
13 ns
Producto original del fabricante
Infineon