Transistor de canal P IRFR9024PBF, TO252AA, TO-252, -60V. Vivienda: TO252AA. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 570pF. Características: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -8.8A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 8.8A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRFR9024PBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Polaridad: MOSFET P. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Serie: IRFR. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Tipo de montaje: THT. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -60V. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45