Transistor de canal P IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 110pF. DI (T=100°C): 4.2A. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 26A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45