transistor de canal P IRFR9120NPBF, D-PAK, TO-252, -100V

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Transistor de canal P IRFR9120NPBF, D-PAK, TO-252, -100V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -6.6A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: FR9120N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 28 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:47

Documentación técnica (PDF)
IRFR9120NPBF
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-100V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
350pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
40W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.48 Ohms @ -3.9A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-6.6A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
FR9120N
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
28 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-4V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
14 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier