transistor de canal P IRFR9220PBF, D-PAK, TO-252, -200V

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Precio unitario
1-24
1.19€
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0.99€
Cantidad en inventario: 693

Transistor de canal P IRFR9220PBF, D-PAK, TO-252, -200V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 340pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -3.6A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: IRFR9220PBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7.3 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.8 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45

Documentación técnica (PDF)
IRFR9220PBF
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-200V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
340pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
42W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.5 Ohms @ -2.2A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-3.6A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
IRFR9220PBF
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
7.3 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-4V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
8.8 ns
Producto original del fabricante
Vishay (ir)