transistor de canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

transistor de canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.32€
5-49
0.23€
50-99
0.21€
100+
0.18€
Cantidad en inventario: 245

Transistor de canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 510pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 71pF. DI (T=100°C): 2.4A. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Función: Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: H. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD H. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.098 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLML5203
32 parámetros
DI (T=25°C)
3A
Idss (máx.)
5uA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
510pF
Cantidad por caja
1
Costo)
71pF
DI (T=100°C)
2.4A
Diodo Trr (Mín.)
17 ns
Función
Ultra Low On-Resistance
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
24A
Marcado en la caja
H
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD H
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.25W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
Resistencia en encendido Rds activado
0.098 Ohms
RoHS
Td(apagado)
52 ns
Td(encendido)
18 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier