transistor de canal P IRLML6302, SOT23
Cantidad
Precio unitario
1-4
1.58€
5-9
0.98€
10-19
0.84€
20-49
0.78€
50+
0.72€
| En ruptura de stock | |
| ¡Reciba una notificación por correo electrónico cuando este producto vuelva a estar disponible! | |
Transistor de canal P IRLML6302, SOT23. Vivienda: SOT23. Cargar: 2.4nC. Corriente de drenaje: -620mA, -0.62A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 0.54W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Resistencia térmica: 230K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Voltaje de fuente de drenaje: -20V. Voltaje de fuente de puerta: 12V, ±12V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:15
IRLML6302
13 parámetros
Vivienda
SOT23
Cargar
2.4nC
Corriente de drenaje
-620mA, -0.62A
Montaje/instalación
SMD
Polaridad
unipolares
Potencia
0.54W
Propiedades del semiconductor
Nivel lógico
Resistencia térmica
230K/W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Voltaje de fuente de drenaje
-20V
Voltaje de fuente de puerta
12V, ±12V
Producto original del fabricante
Infineon (irf)