transistor de canal P IRLML6402TRPBF, SOT-23, -20V

transistor de canal P IRLML6402TRPBF, SOT-23, -20V

Cantidad
Precio unitario
1-24
0.80€
25-99
0.58€
100-999
0.39€
1000+
0.27€
Cantidad en inventario: 10127

Transistor de canal P IRLML6402TRPBF, SOT-23, -20V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 633pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -3.7A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: -. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 588 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 350 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
IRLML6402TRPBF
15 parámetros
Vivienda
SOT-23
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-20V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
633pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
1.3W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.135 Ohms @ -3.1A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-3.7A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
588 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-1.2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
350 ns
Producto original del fabricante
Infineon