Transistor de canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 12pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2210pF. DI (T=100°C): -. Diodo Trr (Mín.): 315 ns. Función: P-Channel Enhancement Mode. IDss (mín.): 50uA. Identificación (diablillo): 270A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 890W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 89 ns. Td(encendido): 32 ns. Tecnología: PolarPTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11