Transistor de canal P MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (máx.): 60mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 11pF. Cantidad por caja: 1. IDss (mín.): 7mA. IGF: 50mA. Marcado en la caja: 6W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 6W. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Tecnología: P-Channel Switch. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 6V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37