transistor de canal P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

transistor de canal P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.37€
5-49
0.31€
50-99
0.27€
100-199
0.25€
200+
0.22€
Cantidad en inventario: 2750

Transistor de canal P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 20mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. IDss (mín.): 1.5mA. IGF: 50mA. Marcado en la caja: 6Y. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 6Y. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Tecnología: P-Channel Switch. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37

Documentación técnica (PDF)
MMBFJ177
22 parámetros
Idss (máx.)
20mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaje Vds(máx.)
25V
Acondicionamiento
rollo
Cantidad por caja
1
IDss (mín.)
1.5mA
IGF
50mA
Marcado en la caja
6Y
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD 6Y
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
225mW
RoHS
Tecnología
P-Channel Switch
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
JFET
Unidad de acondicionamiento
3000
Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.
2.5V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
0.8V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor