Transistor de canal P MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Familia de componentes: Transistor JFET de canal P. Marcado del fabricante: 6Y. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Producto original del fabricante: Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:06