Transistor de canal P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SSOT. Vivienda (según ficha técnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 195pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 105pF. Función: Modo de mejora del nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. IGF: 1A. Identificación (diablillo): 10A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 8 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:01