Transistor de canal P NTD2955-1G, TO-251 ( I-Pak ), -60V, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), 60V. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 500pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 750pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 150pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 55W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -12A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 18A. Marcado del fabricante: NT2955G. Marcado en la caja: NT2955. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.155 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:29