transistor de canal P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.03€
5-49
0.85€
50-99
0.72€
100-199
0.63€
200+
0.56€
Cantidad en inventario: 192

Transistor de canal P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 150pF. Diodo Trr (Mín.): 50us. Función: ID pulse 36A/10ms. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 36A. Marcado en la caja: NT2955. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.155 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:29

Documentación técnica (PDF)
NTD2955T4
29 parámetros
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
100uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
500pF
Cantidad por caja
1
Costo)
150pF
Diodo Trr (Mín.)
50us
Función
ID pulse 36A/10ms
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
36A
Marcado en la caja
NT2955
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
55W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
Resistencia en encendido Rds activado
0.155 Ohms
RoHS
Td(apagado)
26 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor