transistor de canal P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

transistor de canal P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.25€
5-24
1.96€
25-49
1.65€
50+
1.45€
Cantidad en inventario: 751

Transistor de canal P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 690pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 310pF. DI (T=100°C): 6A. Diodo Trr (Mín.): 15.5 ns. Función: Mejora del nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 32A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 19.8 ns. Td(encendido): 6.7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Niko-semi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
P5504ED
29 parámetros
DI (T=25°C)
8A
Idss (máx.)
10uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
40V
C(pulg)
690pF
Cantidad por caja
1
Costo)
310pF
DI (T=100°C)
6A
Diodo Trr (Mín.)
15.5 ns
Función
Mejora del nivel lógico
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
32A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
28W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
Resistencia en encendido Rds activado
0.065 Ohms
RoHS
Td(apagado)
19.8 ns
Td(encendido)
6.7 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Niko-semi