transistor de canal P RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

transistor de canal P RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.04€
5-24
1.94€
25-49
1.68€
50-99
1.50€
100+
1.39€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 146

Transistor de canal P RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. Cantidad por caja: 1. DI (T=100°C): 6A. Diodo Trr (Mín.): 125us. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: D8P05. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 20A. Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: Power MOSFET MegaFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Harris. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
RFD8P05SM
28 parámetros
DI (T=25°C)
8A
Idss (máx.)
25uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
50V
Cantidad por caja
1
DI (T=100°C)
6A
Diodo Trr (Mín.)
125us
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
20A
Marcado en la caja
D8P05
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
48W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
Resistencia en encendido Rds activado
0.3 Ohms
RoHS
Spec info
ID pulse 20A
Td(apagado)
42 ns
Td(encendido)
16 ns
Tecnología
Power MOSFET MegaFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Harris

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