Transistor de canal P SI2319CDS-T1-GE3, SOT-23, -40V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -40V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 595pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -3.1A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: P7. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 27 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25