Transistor de canal P SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1275pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -6A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: O4. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 26 ns. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:56