Transistor de canal P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. DI (T=25°C): 2.45A. Idss (máx.): 5nA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): TSOP-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. Cantidad por caja: 1. DI (T=100°C): 1.95A. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. IDss (mín.): 1nA. Identificación (diablillo): 16A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1nA. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.45V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30