Transistor de canal P SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 40V. Cantidad por caja: 1. DI (T=100°C): 5.9A. Diodo Trr (Mín.): 35ms. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 50A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30