Transistor de canal P SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1006pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -5.6A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: SI4431CDY-T1-GE3. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:45