Transistor de canal P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. DI (T=100°C): 5.6A. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 50A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30